不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IKW40N65RH5

650 V、40 A IGBT 分立器件，带碳化硅肖特基二极管
数据手册
封装

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IKW40N65RH5
IKW40N65RH5
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.12 mJ
  • Eon
    0.16 mJ
  • 最高 IC (@ 25°)
    74 A
  • 最高 IC (@ 100°)
    46 A
  • 最高 ICpuls
    160 A
  • 最高 IF
    18.5 A
  • 最高 IFpuls
    60 A
  • 最高 Ptot
    250 W
  • QGate
    95 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    15 Ω
  • td(off)
    165 ns
  • td(on)
    18 ns
  • tf
    13 ns
  • tr
    8 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • VF
    1.35 V
  • 封装
    TO-247-3
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™5 40-100 kHz
  • 开关频率 范围
    40 kHz 至 100 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5, Silicon Carbide Schottky Diode
OPN
IKW40N65RH5XKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
650 V、40 A TRENCHSTOP ™ 5 H5 IGBT 与半额定第六代碳化硅 CoolSiC ™肖特基势垒二极管采用 TO-247-3 封装共同包装。 超快速 650 V 硬开关 TRENCHSTOP ™ 5 H5 IGBT 在开关速度高于 30 kHz 时具有非常低的开关损耗。 CoolSiC ™混合分立器件中超快速 TRENCHSTOP ™ 5 H5 IGBT 与半额定续流 SiC 肖特基势垒二极管的组合，可以前所未有地降低总开关损耗，并可以显著提高开关频率。

特性

  • 超低开关损耗
  • TRENCHSTOP ™ 5 IGBT
  • CoolSiC ™二极管
  • 极低的通态损耗
  • 基准开关效率*
  • *在硬开关拓扑中
  • 无铅电镀：符合 RoHS 标准
  • 符合 JEDEC 47/20/22 标准

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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