现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IKW75N65EL5

数据手册
封装

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IKW75N65EL5
IKW75N65EL5
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    3.2 mJ
  • Eon
    1.61 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    80 A
  • 最高 IC (@ 25° )
    80 A
  • 最高 ICpuls
    300 A
  • 最高 IF
    90 A
  • 最高 IFpuls
    300 A
  • Irrm
    29 A
  • 最高 Ptot
    536 W
  • QGate
    436 nC
  • Qrr
    1370 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    4 Ω
  • td(off)
    275 ns
  • td(on)
    40 ns
  • tf
    50 ns
  • tr
    11 ns
  • VCE(sat)
    1.1 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • VF
    1.4 V
  • 封装
    TO-247-3
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™5 0.05 kHz -20 kHz
  • 开关频率 范围
    0.05 kHz 至 20 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
推荐的
OPN
IKW75N65EL5XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的新型 L5 低饱和电压 (V CE(sat)) TRENCHSTOP ™ IGBT 系列针对 50Hz 至 20kHz 范围内的低开关频率进行了专门优化。通过优化创新的 55µm TRENCHSTOP ™ 5 薄晶圆技术的载体轮廓，可以将传导损耗降低到本质低水平 – 30A IGBT 为 1.05V，75A IGBT 为 1.10V。

特性

  • 最低 VCE(sat) 仅为 1.05 V
  • 低开关损耗：
  • 30 A IGBT 在 25°C 时为 1.6 mJ
  • 高热稳定性
  • Tj 从 25°C 升高至 175°C

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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