不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IKW75N65SS5

650 V、75 A IGBT 分立器件，带碳化硅肖特基二极管
数据手册
封装
每件.
有存货

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IKW75N65SS5
IKW75N65SS5
每件.
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.42 mJ
  • Eon
    0.2 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    80 A
  • 最高 IC (@ 25°)
    80 A
  • 最高 ICpuls
    300 A
  • 最高 IF
    57 A
  • 最高 IFpuls
    225 A
  • 最高 Ptot
    395 W
  • QGate
    164 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    5.6 Ω
  • td(off)
    155 ns
  • td(on)
    21 ns
  • tf
    26 ns
  • tr
    8 ns
  • VCE(sat)
    1.35 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • VF
    1.35 V
  • VGE(th)
    4 V
  • 封装
    TO-247-3
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™ 5 ( 10 - 30 kHz )
  • 开关频率 范围
    10 kHz 至 30 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5, Silicon Carbide Schottky Diode
OPN
IKW75N65SS5XKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
TRENCHSTOP ™ 5 S5 650 V、75 A IGBT 分立器件与全额定 CoolSiC ™肖特基二极管 G6 采用 TO247-3 封装。 该 IGBT 技术适用于在 10 kHz 和 40 kHz 之间切换的应用，并且由于其高可控性和平滑的开关行为，不仅效率高，而且易于设计。CoolSiC ™混合分立器件在 dv/dt 和 di/dt 值几乎不变的情况下进一步降低了开关损耗。

特性

  • 超低开关损耗
  • TRENCHSTOP ™ 5 IGBT
  • CoolSiC ™二极管
  • 极低的通态损耗
  • 基准开关效率*
  • *在硬开关拓扑中
  • 无铅电镀：符合 RoHS 标准
  • 符合 JEDEC 47/20/22 标准

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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