IKZ50N65EH5
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IKZ50N65EH5

数据手册
封装

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IKZ50N65EH5
IKZ50N65EH5
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.19 mJ
  • Eon
    0.41 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    54 A
  • 最高 IC (@ 25° )
    85 A
  • 最高 ICpuls
    200 A
  • 最高 IF
    95 A
  • 最高 IFpuls
    200 A
  • Irrm
    24 A
  • 最高 Ptot
    273 W
  • QGate
    109 nC
  • Qrr
    820 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    12 Ω
  • td(off)
    250 ns
  • td(on)
    20 ns
  • tf
    21 ns
  • tr
    7 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • VF
    1.35 V
  • VGE(th) 范围
    3.2 V 至 4.8 V
  • VGE(th)
    4 V
  • 封装
    TO-247-4
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™5 30-100 kHz
  • 开关频率 范围
    30 kHz 至 100 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
推荐的
OPN
IKZ50N65EH5XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
为了进一步增强 TRENCHSTOP ™ 5 IGBT 技术的最佳性能，英飞凌在高功率封装中提供了该技术，并配备了额外的开尔文发射极引脚。TO-247 4pin 为栅极发射极控制环路提供超低电感，并将 TRENCHSTOP ™ 5 IGBT 提升到同类最佳开关性能的更高水平。采用标准 TO-247 封装主体，并添加额外的第 4 个引脚以启用开尔文发射极配置。

特性

  • 极低的含量。电感环路
  • 用于驱动器反馈的发射极引脚
  • 同上。发射极蠕变。分布。*
  • 总开关损耗减少 20%*
  • *与 TO-247 封装相比
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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