现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IMT65R020M2H

CoolSiC ™ MOSFET 650 V G2，采用 TOLL 封装，20 mΩ
数据手册
封装
每件.
有存货

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IMT65R020M2H
IMT65R020M2H
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    105 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    20 mΩ
  • RthJC max
    0.34 K/W
  • VDS max
    650 V
  • Package
    TOLL
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    CoolSiC™ G2
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
IMT65R020M2HXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
TOLL 中的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V 第二代 (G2) 是一种利用高性能技术（如 CoolSiC ™ G2）的流行选择。它克服了传统封装在热循环方面的限制，并采用.XT互连来降低热阻。因此，可以充分利用 SiC 的特性，但产品仍保持较小的占用空间，这是功率密度的下一个合理步骤。

特性

  • 优异的品质因数 (FOM)
  • 同类最佳的 RDS(on)
  • 出色的稳健性
  • 灵活的驱动电压范围
  • 与所有 8x8 FET 引脚兼容
  • 改进了与 .XT 的封装互连
  • Tj,max=175°C
  • TCoB 中 12k 周期

产品优势

  • 节省物料清单 (BOM)
  • 最大化单位成本的系统性能
  • 最高可靠性和更长的使用寿命
  • 实现最高效率和功率密度
  • 占用空间小，功率密度更高
  • 最紧凑的子卡设计
  • 充分利用小尺寸 SiC

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