在产
符合RoHS标准
无铅

IMW120R350M1H

CoolSiC ™ 1200V SiC 沟槽MOSFET，采用TO247-3封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IMW120R350M1H
IMW120R350M1H
每件.
数据手册

商品详情

  • Ciss
    182 pF
  • Coss
    10 pF
  • ID (@25°C) max
    4.7 A
  • Ptot (@25°C) max
    60 W
  • Qgd
    1.2 nC
  • QG (typ @18V)
    5.3 nC
  • RDS (on) (@18V)
    350 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    350 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    2.5 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    1200 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO-247-3
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Technology
    CoolSiC™ G1
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
IMW120R350M1HXKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、350 mΩ G1 采用 TO247-3 封装，基于最先进的沟槽半导体工艺构建，经过优化，兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。

特性

  • 同类最佳的开关损耗
  • 同类最佳的传导损耗
  • 基准高阈值电压
  • Vth > 4 V
  • 0V 关断栅极电压，方便
  • 简单的栅极驱动
  • 宽栅极 - 源极电压范围
  • 坚固耐用且低损耗的体二极管
  • 适用于硬换向
  • 温度。印第安纳州关断开关损耗

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