现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IMWH170R1K0M1

CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1700 V、1000 mΩ G1，采用 TO247-3-HCC 封装
数据手册

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IMWH170R1K0M1
IMWH170R1K0M1
数据手册

商品详情

  • Ciss
    233 pF
  • Coss
    10 pF
  • ID (@ TC=25°C)
    5.4 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    1000 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    2.13 K/W
  • VDS max
    1700 V
  • Pin Count
    3 Pins
  • Technology
    CoolSiC™ G1
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
IMWH170R1K0M1XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 PG-TO247-3
封装名 N/A
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 PG-TO247-3
封装名 -
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 TO247-3-HCC 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 1700 V、1000 mΩ 适用于多种电源转换应用中连接到 600 V 至 1000 V 直流母线电压的单端反激式辅助电源。主要特性包括由反激式控制器直接驱动、无需栅极驱动器 IC、可实现出色热性能的 .XT 互连技术以及可提高可靠性的高爬电距离封装。

特性

  • 针对反激式拓扑进行了优化
  • 极低的开关损耗
  • 12 V / 0 V 栅源电压
  • 与反激式控制器兼容
  • 栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V
  • .XT互连技术
  • 高爬电间隙封装

产品优势

  • 辅助效率高。电源
  • 更好的热性能和阻力
  • TO247 封装，方便隔离设计
  • 无需栅极驱动器
  • 降低系统复杂性
  • 更高的功率密度
  • 耐受恶劣环境

文档

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设计资源

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