现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IMZA120R034M2H

CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V G2，采用 TO247-4 封装
数据手册
封装

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IMZA120R034M2H
IMZA120R034M2H
数据手册

商品详情

  • Ciss
    1510 pF
  • Coss
    64 pF
  • ID (@ TC=25°C) max
    55 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    244 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG
    45 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    34 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.61 K/W
  • Tj max
    200 °C
  • VDS max
    1200 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO247-4
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    4 Pins
  • Technology
    CoolSiC™ G2
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
IMZA120R034M2HXKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、34 mΩ G2 采用 TO247 4 引脚 IMZA 封装，确保安装组件兼容性并可轻松替换现有系统设计，为成本更优化、高效、紧凑、易于设计和可靠的系统提供先进的解决方案。它增强了所有常见 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合的硬开关操作和软开关拓扑的性能。

特性

  • RDS(on) = 34 mΩ（VGS = 18 V、Tvj = 25°C）
  • 极低的开关损耗
  • 最大更宽。VGS 范围从 -10 V 至 +25 V
  • 过载运行最高可达 Tvj = 200°C
  • 短路耐受时间 2 µs
  • 基准栅极阈值电压 4.2 V
  • 具有抗寄生开启能力
  • .XT互连技术
  • 更严格的 VGS(th) 参数分布

产品优势

  • 更高的能源效率
  • 冷却优化
  • 更高的功率密度
  • 新的稳健性特性
  • 高度可靠
  • 轻松并行

文档

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设计资源

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