IPA082N10NF2S
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IPA082N10NF2S

StrongIRFET ™ 2 单 n 沟道功率 MOSFET 100V，采用 TO-220 FullPAK 封装
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPA082N10NF2S
IPA082N10NF2S
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    46 A
  • QG (typ @10V)
    28 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    8.2 mΩ
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    TO-220 FullPAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.57
推荐的
OPN
IPA082N10NF2SXKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220 FullPAK
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220 FullPAK
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 100 V 的 RDS(on) 为 8.2 mOhm，适用于从低开关频率到高开关频率的广泛应用。

特性

  • 广泛的分销合作伙伴
  • 卓越的性价比
  • 适用于高和低开关频率
  • 标准通孔封装尺寸
  • 高额定电流
  • 可进行波峰焊

产品优势

  • 多供应商兼容性
  • 合适的产品
  • 支持各种各样的应用
  • 标准引脚排列，可直接替换
  • 更高的电流承载能力
  • 易于制造

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区