IPA126N10N3 G

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数据手册

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IPA126N10N3 G
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数据手册

商品详情

  • Ciss
    1880 pF
  • Coss
    330 pF
  • 最高 ID
    35 A
  • 最高 IDpuls
    140 A
  • 最高 Ptot
    33 W
  • QG (typ @10V)
    26 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    12.6 mΩ
  • Rth
    4.5 K/W
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) (typ) 范围
    2 V 至 3.5 V
  • VGS(th) (typ)
    2.7 V
  • 封装
    TO-220 FullPAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
英飞凌的 100V OptiMOS ™功率 MOSFET 为高效率、高功率密度 SMPS 提供了卓越的解决方案。与第二好的技术相比，该系列的 R DS(on) 和 FOM (品质因数) 均降低了 30%。

特性

  • 卓越的开关性能
  • 全球最低的 RDS(on)
  • 极低的 Qg 和 Qgd
  • 卓越的栅极电荷 x RDS(on) 乘积 (FOM)
  • 符合 RoHS 标准 - 无卤素
  • MSL1 评级为 2

产品优势

  • 环保
  • 提高效率
  • 最高功率密度
  • 所需并联更少
  • 最小的电路板空间消耗
  • 易于设计的产品

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区