在产
符合RoHS标准

IPB60R099P7

优化的超结 MOSFET，兼具高能效和易用性
数据手册
封装

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IPB60R099P7
IPB60R099P7
数据手册

商品详情

  • Ciss
    1952 pF
  • Coss
    33 pF
  • ID max
    31 A
  • ID (@25°C) max
    31 A
  • IDpuls max
    100 A
  • Ptot max
    117 W
  • Qgd
    14 nC
  • QG (typ @10V)
    45 nC
  • QG
    45 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    99 mΩ
  • RDS (on) max
    99 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    1.07 K/W
  • Rth
    1.07 K/W
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    D2PAK
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    N
  • Special Features
    price/performance
  • Budgetary Price €/1k
    1.42
受到推崇的
OPN
IPB60R099P7ATMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
600V CoolMOS ™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS ™ P6 系列的后续产品。它在设计过程中不断平衡高效率的需求和易用性。CoolMOS ™第 7 代平台一流的 R onxA 和固有的低栅极电荷 (Q G) 确保了其高效率。

特性

  • CoolMOS ™ 7 系列
  • 低栅极电荷
  • COSS中的低存储能量
  • 集成栅极电阻
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

产品优势

  • 更好的控制
  • 硬开关效率高
  • 更高的功率密度
  • MOSFET 适合硬谐振拓扑

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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