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符合RoHS标准

IPB60R180C7

CoolMOS ™ C7 超结 MOSFET 在 PFC 和 LLC 拓扑中提供一流的性能
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPB60R180C7
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每件.
数据手册

商品详情

  • ID max
    13 A
  • ID (@25°C) max
    13 A
  • IDpuls max
    45 A
  • Ptot max
    68 W
  • Qgd
    8 nC
  • QG (typ @10V)
    24 nC
  • QG
    24 nC
  • RDS (on) max
    180 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    180 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    1.832 K/W
  • Rth
    1.832 K/W
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    D2PAK
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    N
  • Special Features
    highest performance
  • Budgetary Price €/1k
    0.92
受到推崇的
OPN
IPB60R180C7ATMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌的 600 V 和 650 V CoolMOS ™ C7 超结 (SJ) MOSFET 系列旨在实现创纪录的效率性能，并降低硬开关应用中整个负载范围内的损耗。

特性

  • 降低开关损耗
  • 优异的品质因数 Q G*R DS(on)
  • 提高开关频率
  • 市场上最佳的 R (on)*A
  • 坚固的体二极管

产品优势

  • 更高频率，无效率损失
  • 扩展部分负载效率
  • 磁性元件尺寸缩小 50%
  • 相同 R DS(on)
  • 可用于硬开关和软开关

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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