现货，推荐
符合RoHS标准

IPB80N06S2-H5

55 V、N 沟道、5.2 mΩ（最大值）、汽车 MOSFET、D2PAK、OptiMOS ™
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPB80N06S2-H5
IPB80N06S2-H5
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    80 A
  • IDpuls max
    320 A
  • Ptot max
    300 W
  • QG (typ @10V)
    116 nC
  • QG (typ @10V) max
    155 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    5.2 mΩ
  • RthJC max
    0.5 K/W
  • VDS max
    55 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Package
    D2PAK (PG-TO263-3)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    OptiMOS™
  • Launch year
    2006
  • Polarity
    N
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Qualification
    Automotive
  • Budgetary Price €/1k
    1.28
受到推崇的
OPN
IPB80N06S2H5ATMA2
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

特性

  • N沟道 - 增强模式
  • 符合汽车 AEC Q101 标准
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色封装（无铅）
  • 超低 RDS(on)
  • 支持 PPAP 的设备

产品优势

  • 采用平面技术，55V 时 RDS(on) 最低
  • 最高电流能力
  • 最低开关传导损耗
  • 最高热效率
  • 坚固的包装和卓越的品质
  • 优化 Qg tot，更小的驱动器输出

文档

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }