现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IPC331N15NM5R

OptiMOS ™ n 沟道功率 MOSFET 150V - 裸片
数据手册

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IPC331N15NM5R
IPC331N15NM5R
数据手册

商品详情

  • EAS/雪崩能量
    70 mJ
  • RDS (on)
    2.9 mΩ
  • VDS
    150 V
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    3 V to 4.6 V
  • 厚度
    246
  • 技术
    OptiMOS™ 5
  • 极性
    N
  • 模式
    Enhancement
  • 芯片尺寸 (X)
    7.05 mm
  • 芯片尺寸 (Y)
    4.7 mm
  • 芯片尺寸 (Area)
    33.13 mm²
推荐的
OPN
IPC331N15NM5RX7SA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 --
封装名 Die Form
包装尺寸 1
包装类型 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
湿度 N/A
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 Die Form
包装尺寸 1
包装类型 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
湿度 -
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 150V 技术在不影响 FOMgd 和 FOMOSS 的情况下，突破性地降低了 RDS(on)（与 SuperSO8 中的下一个最佳替代方案相比，降低了高达 25%）和 Qrr，从而有效减少了设计工作量，同时优化了系统效率。此外，超低反向恢复电荷（SuperSO8 中最低 Qrr = 26nC）增加了换向坚固性。

特性

  • 单片集成栅极电阻
  • 针对模块应用进行了优化
  • 超低恢复电荷 Qrr
  • 超低输出电容 Coss
  • 与上一代产品相比，RDS(on) 有所降低

产品优势

  • 最高系统效率
  • 降低开关和传导损耗
  • 减少并联需求
  • 提高功率密度
  • 降低电压过冲
  • 并联 MOSFET 的栅极连接

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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