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停产
已停产
符合RoHS标准

IPD25DP06LM

停产
常规和逻辑电平的 P 通道 MOSFET，降低中低功率应用的设计复杂性
数据手册
封装

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IPD25DP06LM
IPD25DP06LM
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    -6.5 A
  • ID (@ TC=25°C) max
    -6.5 A
  • IDpuls max
    -26 A
  • Ptot max
    28 W
  • QG (typ @10V)
    -13.8 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    250 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    310 mΩ
  • VDS max
    -60 V
  • VGS(th)
    -1.5 V
  • Package
    DPAK (TO-252)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    P
  • Budgetary Price €/1k
    0.29
OPN
IPD25DP06LMATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
DPAK 封装的 OptiMOS ™ P 通道 MOSFET 60V 适用于电池管理、负载开关和反极性保护应用。P 沟道器件的主要优点是降低了中低功率应用中的设计复杂性。 它与 MCU 的简单接口、快速切换以及雪崩强度使其适用于高质量要求的应用。

特性

  • VDS = -60V
  • 宽RDS(on)范围
  • 正常电平和逻辑电平可用性

产品优势

  • 轻松与 MCU 接口
  • 低 Qg
    • 提高了低负载下的效率>
  • 快速开关
  • 雪崩耐受性

应用

文档

文档

设计资源

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