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IPD25DP06LM
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符合RoHS标准

IPD25DP06LM

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常规和逻辑电平的 P 通道 MOSFET，降低中低功率应用的设计复杂性
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封装
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IPD25DP06LM
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -6.5 A
  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    -6.5 A
  • 最高 IDpuls
    -26 A
  • 最高 Ptot
    28 W
  • QG (typ @10V)
    -13.8 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    250 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    310 mΩ
  • 最高 VDS
    -60 V
  • VGS(th)
    -1.5 V
  • 封装
    DPAK (TO-252)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    P
  • 预算价格€/1k
    0.29

OPN
IPD25DP06LMATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
MY
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
MY
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DPAK 封装的 OptiMOS ™ P 通道 MOSFET 60V 适用于电池管理、负载开关和反极性保护应用。P 沟道器件的主要优点是降低了中低功率应用中的设计复杂性。 它与 MCU 的简单接口、快速切换以及雪崩强度使其适用于高质量要求的应用。

特性

  • VDS = -60V
  • 宽RDS(on)范围
  • 正常电平和逻辑电平可用性

产品优势

  • 轻松与 MCU 接口
  • 低 Qg
  • 提高了低负载下的效率>
  • 快速开关
  • 雪崩耐受性

应用

文档

设计资源

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