现货，推荐
符合RoHS标准

IPD26N06S2L-35

55 V、N 沟道、最大 35 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™
数据手册
封装

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IPD26N06S2L-35
IPD26N06S2L-35
数据手册

商品详情

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Mexico, Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • 最高 ID (@25°C)
    30 A
  • 最高 IDpuls
    120 A
  • 最高 Ptot
    68 W
  • 最高 QG (typ @10V)
    24 nC
  • QG (typ @10V)
    10 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    35 mΩ
  • 最高 RthJC
    2.2 K/W
  • 最高 VDS
    55 V
  • VGS(th) 范围
    1.2 V 至 2 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • 封装
    DPAK (PG-TO252-3)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™
  • 推出年份
    2007
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2034
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IPD26N06S2L35ATMA2
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • N沟道 - 增强模式
  • 符合汽车 AEC Q101 标准
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 超低 RDS(on)
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备

产品优势

  • 平面技术中 55V 时最低 DS(on)
  • 最高电流能力
  • 最低的开关和传导损耗
  • 最高热效率
  • 坚固的包装和卓越的品质
  • 最佳总栅极电荷
  • 更小的驱动器输出级

文档

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