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停产
已停产
符合RoHS标准

IPD50N03S2L-06

停产
30 V、N 沟道、最大 6.4 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™
数据手册
封装

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IPD50N03S2L-06
IPD50N03S2L-06
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    50 A
  • IDpuls max
    200 A
  • Ptot max
    136 W
  • QG (typ @10V) max
    50 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    6.4 mΩ
  • RthJC max
    1.1 K/W
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th) min
    1.2 V
  • VGS(th) max
    2 V
  • Package
    DPAK (PG-TO252-3)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    OptiMOS™
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Automotive
  • Budgetary Price €/1k
    0.6
OPN
IPD50N03S2L06ATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • N沟道逻辑电平增强模式
  • 符合 AEC 要求
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 100% Avalanche 测试
  • 超低 RDS(on)
  • 支持 PPAP 的设备

产品优势

  • 最低的开关和传导损耗
  • 最高热效率
  • 坚固的包装和卓越的品质
  • 最佳总栅极电荷
  • 更小的驱动器输出级

应用

文档

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设计资源

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