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IPD70R1K4CE
停产
已停产
符合RoHS标准

IPD70R1K4CE

停产
适用于消费电子和照明应用的最佳性价比超结 MOSFET
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封装
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IPD70R1K4CE
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    5.4 A
  • 最高 ID
    5.4 A
  • 最高 IDpuls
    8.3 A
  • 最高 Ptot
    53 W
  • Qgd
    5.8 nC
  • QG
    10.5 nC
  • QG (typ @10V)
    10.5 nC
  • 最高 RDS (on)
    1400 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1400 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    2.37 K/W
  • Rth
    2.37 K/W
  • Tj 范围
    -40 °C 至 150 °C
  • 最高 VDS
    700 V
  • VGS(th) 范围
    2.5 V 至 3.5 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    DPAK
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    price/performance
  • 预算价格€/1k
    0.2
OPN
IPD70R1K4CEAUMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CoolMOS™ CE是英飞凌市场领先的高压功率 MOSFET 的一个技术平台，根据超结原理（SJ）设计，旨在满足消费者的要求。 随着系列的扩展，英飞凌现推出500 V、600 V、650 V、700 V 和 800 V器件，适用于移动设备和电动工具、液晶显示器、LED电视、和LED照明应用的低功率充电器。

特性

  • 热行为
  • 设备上≤ 90°C，打开外壳
  • ≤ 50°C/70°C 关闭外壳温度
  • EMI 符合 EN55022B 标准
  • 易于使用且设计快速

产品优势

  • 由于 R DS(on) 的典型值与标称值之间存在较大的裕度，因此传导损耗较低
  • 由于优化了输出电容 (E oss)，因此开关损耗较低
  • 优化了 EMI，以平衡开关速度和 EMI 行为
  • 由于集成了 R g

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区