IPF026N15NM6
现货，推荐
符合RoHS标准

IPF026N15NM6

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 150 V 正常电平，采用 D²PAK 7 引脚封装
数据手册
封装

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IPF026N15NM6
IPF026N15NM6
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    239 A
  • 最高 IDpuls
    956 A
  • 最高 Ptot
    395 W
  • QG (typ @10V)
    105 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.6 mΩ
  • 最高 VDS
    150 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • 封装
    D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
推荐的
OPN
IPF026N15NM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • RDS(on) 比 OptiMOS ™低 41％
  • 150 V 下业界最低的 Qrr
  • 与 OptiMOS ™ 5 相比，二极管软度得到改善
  • Vgs(th) 严格控制在 +/-500 mV 范围内
  • 高雪崩强度
  • 最大 Tj 为 175°C 和 MSL1

产品优势

  • 低传导和开关损耗
  • 运行稳定，EMI 得到改善
  • 并联时实现更好的电流共享
  • 增强稳健性
  • 提高系统可靠性
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