IPI120N04S4-01
现货，推荐
符合RoHS标准

IPI120N04S4-01

40 V、N 通道、最大 1.5 mΩ、汽车 MOSFET、I2PAK、OptiMOS ™ -T2
数据手册
封装

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IPI120N04S4-01
IPI120N04S4-01
数据手册
  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Germany, Malaysia
  • 最高 ID (@25°C)
    120 A
  • 最高 IDpuls
    480 A
  • 最高 Ptot
    188 W
  • 最高 QG (typ @10V)
    176 nC
  • QG (typ @10V)
    135 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.8 K/W
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    I2PAK (PG-TO262-3)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™T2
  • 推出年份
    2010
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2030
  • 认证标准
    Automotive
  • 预算价格€/1k
    1.08
推荐的
OPN
IPI120N04S401AKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO262-3
封装名 I2PAK
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO262-3
封装名 I2PAK
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • N沟道增强模式
  • 符合 AEC 要求
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备

产品优势

  • 最高电流能力
  • 最低的开关和传导损耗
  • 最高热效率
  • 坚固的包装和卓越的品质
  • 优化总栅极电荷
  • 更小的驱动器输出级
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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