IPL60R225CFD7

IPL60R225CFD7

600V CoolMOS ™ CFD7 SJ MOSFET 集成快速体二极管，采用 ThinPAK 8x8 封装，是谐振高功率拓扑的完美选择
数据手册

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IPL60R225CFD7
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商品详情

  • 最高 ID
    12 A
  • 最高 ID (@25°C)
    12 A
  • 最高 IDpuls
    42 A
  • 最高 Ptot
    68 W
  • QG
    23 nC
  • QG (typ @10V)
    23 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    225 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    225 mΩ
  • 最高 VDS
    600 V
  • VGS(th) 范围
    3.5 V 至 4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    Thin-PAK 8x8
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
英飞凌的 ThinPAK 8x8 封装中的 600V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET IPL60R225CFD7 非常适合高功率 SMPS 中的谐振拓扑，例如服务器、电信和电动汽车充电站，可显著提高效率。作为 CFD2 SJ MOSFET 系列的后续产品，与竞争对手相比，它具有更低的栅极电荷、更好的关断行为以及高达 69% 的反向恢复电荷减少。

特性

  • 超快体二极管
  • 一流的反向恢复电荷 (Qrr)
  • 改进的反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 耐用性
  • 最低 FOM RDS(on) x Qg  和 EOSS
  • 一流的 RDS(on)/封装组合

产品优势

  • 一流的硬换向坚固性
  • 谐振拓扑的最高可靠性
  • 最高的效率，卓越的易用性/性能平衡
  • 实现更高功率密度的解决方案

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区