IPLK60R1K0PFD7
在产
符合RoHS标准

IPLK60R1K0PFD7

采用 ThinPAK 5x6 封装的 600V CoolMOS ™ PFD7 超结 MOSFET
数据手册
封装

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IPLK60R1K0PFD7
IPLK60R1K0PFD7
数据手册


商品详情

  • 最高 ID
    5.2 A
  • 最高 ID (@25°C)
    5.2 A
  • 最高 IDpuls
    8.8 A
  • 最高 Ptot
    31.3 W
  • QG (typ @10V)
    6 nC
  • QG
    6 nC
  • 最高 RDS (on)
    1000 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1000 mΩ
  • Special Features
    price/performance
  • 最高 VDS
    600 V
  • VGS(th) 范围
    3.5 V 至 4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    Thin-PAK 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.36

推荐的
OPN
IPLK60R1K0PFD7ATMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Thin-PAK 5x6
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Thin-PAK 5x6
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌凭借 20 多年超结技术创新的开拓经验，开发的 600V CoolMOS™ PFD7 高压 MOSFET 系列在 600V 超结 (SJ) 技术领域设立了新标杆。该系列结合了同类最佳的性能和最先进的易用性，并采用集成式快速体二极管，确保器件坚固耐用，进而降低客户的 BOM。

特性

  • CoolMOS ™ 7 系列
  • 低栅极电荷
  • 低存储能量 COSS
  • 低 Qrr
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

产品优势

  • 更好的控制
  • 更高的开关频率
  • 软开关效率高
  • MOSFET 适合硬和谐振拓扑
  • 实现高功率密度
  • 实现更好的控制
  • 开尔文源

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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