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IPLK70R1K4P7
停产
已停产
符合RoHS标准

IPLK70R1K4P7

停产
采用 ThinPAK 5x6 封装的 700 V CoolMOS ™ P7 超结 MOSFET

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商品详情

  • 最高 ID
    3.9 A
  • 最高 ID (@25°C)
    3.9 A
  • 最高 IDpuls
    8.2 A
  • 最高 Ptot
    22.7 W
  • QG
    4.7 nC
  • QG (typ @10V)
    4.7 nC
  • 最高 RDS (on)
    1400 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1400 mΩ
  • 最高 VDS
    700 V
  • VGS(th) 范围
    2.5 V 至 3.5 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    Thin-PAK 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.28
OPN
IPLK70R1K4P7ATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 Thin-PAK 5x6
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 Thin-PAK 5x6
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
700 V CoolMOS™ P7 N 沟道超结 (SJ) MOSFET 系列专为满足当今,尤其是未来的反激拓扑趋势而开发。该技术适用于低功耗 SMPS 市场,主要侧重于手机充电器和笔记本电脑适配器,但同样适用于照明应用、家庭娱乐(电视、游戏机或音频)中使用的电源,以及辅助电源。

特性

  • CoolMOS ™ 7 系列
  • 低栅极电荷
  • COSS中的低存储能量
  • 集成栅极电阻
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

产品优势

  • 更好的控制
  • 硬开关高效率
  • 更高的功率密度
  • MOSFET 适用于硬和谐振拓扑
  • 实现高功率密度
  • 实现更好的控制
  • 开尔文源

应用

文档

设计资源

开发者社区