IPN95R2K0P7
不建议用于新设计
符合RoHS标准

IPN95R2K0P7

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IPN95R2K0P7
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数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    4 A
  • 最高 ID
    4 A
  • 最高 IDpuls
    10 A
  • 最高 Ptot
    7 W
  • QG
    10 nC
  • QG (typ @10V)
    10 nC
  • 最高 RDS (on)
    2000 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2000 mΩ
  • Special Features
    price/performance
  • 最高 VDS
    950 V
  • VGS(th) 范围
    2.5 V 至 3.5 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    SOT-223-3
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N

OPN
IPN95R2K0P7ATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-SOT223-3
封装名 SOT-223-3
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE
视图替换

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-SOT223-3
封装名 SOT-223-3
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE
视图替换
英飞凌最新的 950 V CoolMOS™ P7 技术专注于低功耗 SMPS 市场，适用于从照明、智能电表、手机充电器、笔记本电脑适配器到 AUX 电源和工业 SMPS 等各种应用。P7 拥有同类最佳的 3V VGS (th)、仅 ±0.5 V 的容差、受保护的栅极和广泛的产品组合。

特性

  • 同类最佳的 FOM RDS(on) Eoss；降低的 Qg、Ciss 和 Coss
  • 同类最佳的 DPAK RDS(on)，为 450 mΩ
  • 同类最佳的 VGS(th)，为 3 V，且 VGS(th) 变化最小，为 ±0.5 V
  • 集成齐纳二极管 ESD 保护，最高可达 2 级 (HBM)
  • 同类最佳的质量和可靠性

产品优势

  • 与 CoolMOS ™ C3 相比，效率提升高达 1%，MOSFET 温度降低 2°C 至 10°C
  • 实现更高功率密度的设计、节省 BOM 并降低组装成本
  • 易于驱动和设计导入
  • 通过减少 ESD 相关故障来提高生产良率
  • 减少生产问题并降低现场退货
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