不建议用于新设计
符合RoHS标准

IPN95R2K0P7

数据手册
封装
每件.
有存货

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IPN95R2K0P7
IPN95R2K0P7
每件.
数据手册

商品详情

  • ID max
    4 A
  • ID (@25°C) max
    4 A
  • IDpuls max
    10 A
  • Ptot max
    7 W
  • QG
    10 nC
  • QG (typ @10V)
    10 nC
  • RDS (on) max
    2000 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    2000 mΩ
  • VDS max
    950 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    SOT-223-3
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    N
  • Special Features
    price/performance
OPN
IPN95R2K0P7ATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-SOT223-3
封装名 SOT-223-3
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-SOT223-3
封装名 SOT-223-3
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌最新的 950 V CoolMOS™ P7 技术专注于低功耗 SMPS 市场，适用于从照明、智能电表、手机充电器、笔记本电脑适配器到 AUX 电源和工业 SMPS 等各种应用。P7 拥有同类最佳的 3V VGS (th)、仅 ±0.5 V 的容差、受保护的栅极和广泛的产品组合。

特性

  • 同类最佳的 FOM RDS(on) Eoss；降低的 Qg、Ciss 和 Coss
  • 同类最佳的 DPAK RDS(on)，为 450 mΩ
  • 同类最佳的 VGS(th)，为 3 V，且 VGS(th) 变化最小，为 ±0.5 V
  • 集成齐纳二极管 ESD 保护，最高可达 2 级 (HBM)
  • 同类最佳的质量和可靠性

产品优势

  • 与 CoolMOS ™ C3 相比，效率提升高达 1%，MOSFET 温度降低 2°C 至 10°C
  • 实现更高功率密度的设计、节省 BOM 并降低组装成本
  • 易于驱动和设计导入
  • 通过减少 ESD 相关故障来提高生产良率
  • 减少生产问题并降低现场退货

文档

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