IPP018N10N5

IPP018N10N5

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 100 V，采用 TO-220
数据手册

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IPP018N10N5
IPP018N10N5
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    205 A
  • 最高 IDpuls
    820 A
  • 最高 Ptot
    375 W
  • QG (typ @10V)
    168 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.83 mΩ
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IPP018N10N5 是英飞凌的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET，1.8 mOhm，100 V，采用行业标准 TO-220 封装，用于通孔组装。TO-220 封装的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 适用于轻型电动汽车和电池管理系统。

特性

  • 极低的 RDS(on)
  • O/P 电容减少高达 44%
  • 行业标准封装

产品优势

  • 更少的并联和冷却需求
  • 最高的系统可靠性
  • 降低系统成本
  • 低电压过冲

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区