IPP120N08S4-03
不建议用于新设计
符合RoHS标准

IPP120N08S4-03

80 V、N沟道、最大2.5 mΩ、汽车MOSFET、TO-220、OptiMOS ™ -T2
数据手册
封装
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IPP120N08S4-03
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    120 A
  • 最高 IDpuls
    480 A
  • 最高 Ptot
    278 W
  • 最高 QG (typ @10V)
    167 nC
  • QG (typ @10V)
    128 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.54 K/W
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    TO220 (PG-TO220-3)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™T2
  • 极性
    N
  • 质量等级
    Automotive
  • 预算价格€/1k
    2.33

OPN
IPP120N08S403AKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
DE,MY
视图替换

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
DE,MY
视图替换

特性

  • N沟道 - 增强模式
  • 符合汽车 AEC Q101 标准
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 100% Avalanche 测试
  • 超低 RDS(on)
  • 支持 PPAP 的设备

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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