IPP65R190C7

数据手册

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商品详情

  • 最高 ID
    13 A
  • 最高 ID (@25°C)
    13 A
  • 最高 IDpuls
    49 A
  • 最高 Ptot
    72 W
  • QG (typ @10V)
    23 nC
  • QG
    23 nC
  • 最高 RDS (on)
    190 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    190 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    1.73 K/W
  • Rth
    1.73 K/W
  • 最高 VDS
    650 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    highest performance
  • 预算价格€/1k
    0.98
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
英飞凌的 CoolMOS ™ C7 超结 MOSFET 系列是技术上的革命性进步，提供全球最低的 RDS(on)/封装，并且由于其低开关损耗，在整个负载范围内提高了效率。

特性

  • 650V 电压
  • 同类最佳的 R DS(on)/封装
  • 低输出电容能量 (E oss)
  • 更低的栅极电荷 Qg
  • SJ 技术的最佳业绩记录

产品优势

  • 增强 SMPS 和太阳能的安全裕度
  • 最低传导损耗/封装
  • 低开关损耗
  • 更好的轻载效率
  • 提高系统功率密度
  • 卓越的品质和可靠性

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }