IPP80N04S4-03

IPP80N04S4-03

40V、N沟道、最大3.7mΩ、汽车MOSFET、TO-220、OptiMOS ™ -T2

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IPP80N04S4-03
IPP80N04S4-03

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    80 A
  • 最高 IDpuls
    320 A
  • 最高 Ptot
    94 W
  • 最高 QG (typ @10V)
    51 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3.7 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.6 K/W
  • 最高 VDS
    40 V
  • 最低 VGS(th)
    2 V
  • 最高 VGS(th)
    4 V
  • 封装
    TO220 (PG-TO220-3)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™T2
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Automotive
  • 预算价格€/1k
    0.9
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

特性

  • N沟道 - 增强模式
  • 符合 AEC 要求
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 100% Avalanche 测试

产品优势

  • 40V 时全球最低的 RDS（开启）
  • 最高电流能力
  • 最低的开关和传导功率损耗，实现最高的热效率
  • 坚固耐用的封装，品质卓越，可靠性高
  • 优化的总栅极电荷可实现更小的驱动器输出级

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区