现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IPQC60T022S7

600 V CoolMOS ™ S7T SJ MOSFET，采用 Q-DPAK BSC（PG-HDSOP-22）封装，集成温度传感器，可提高结温传感精度
数据手册
封装

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IPQC60T022S7
IPQC60T022S7
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    90 A
  • IDpuls max
    371 A
  • QG
    150 nC
  • RDS (on) max
    22 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    Q-DPAK bottom-side cooled
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    5.6
受到推崇的
OPN
IPQC60T022S7XTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK bottom-side cooled
包装尺寸 750
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK bottom-side cooled
包装尺寸 750
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
带有嵌入式温度传感器的 CoolMOS ™ S7T 提高了结温传感精度和稳健性，同时易于实施。该设备针对低频和大电流开关应用进行了优化。它非常适合固态继电器、断路器设计和 SMPS 中的线路整流。温度传感器增强了 CoolMOS ™ S7 的功能，可以最大限度地利用功率晶体管。

特性

  • 优化性价比
  • 专为低频开关而设计
  • 降低寄生源电感
  • 无缝诊断
  • 持续准确、快速的监控
  • 高电流能力
  • 增强保护
  • 优化热设备利用率
  • 尖端顶部冷却封装

产品优势

  • 最小化传导损耗
  • 提高系统性能
  • 允许比 EMR 更紧凑的设计
  • 长期降低 TCO
  • 实现更高功率密度的设计
  • 减少外部传感元件
  • 功率晶体管的最佳利用
  • 比离散传感器准确度高 40%
  • 比离散传感器解决方案快 4 倍
  • 最佳 PCB 空间利用率
  • 实现功能安全
  • 一流的散热性能

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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