现货,推荐
符合RoHS标准

IPT012N08N5

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 80V 采用 TOLL 封装
每件.
有存货

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IPT012N08N5
IPT012N08N5
每件.

商品详情

  • Ciss
    13000 pF
  • Coss
    2000 pF
  • ID (@25°C) max
    300 A
  • IDpuls max
    1200 A
  • Ptot max
    375 W
  • QG (typ @10V)
    178 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.2 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.4 K/W
  • Rth
    0.4 K/W
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Package
    TOLL (HSOF-8)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    8 Pins
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    2.66
OPN
IPT012N08N5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
Infineon 的 OptiMOS™ 功率 MOSFET 采用无引线封装(TOLL),针对高达 300 A 的大电流应用进行了优化,例如叉车、轻型电动汽车 (LEV)、电动工具、负载点 (POL)、电信和电子保险丝。此外,封装尺寸减小了 60%,实现了非常紧凑的设计。与 D2PAK 7-pin 相比,To-Leadless 的占板面积大幅减少了 30%,高度降低了 50%,在机架或刀片服务器等狭窄应用中具有显著的优势。

特性

  • 针对同步整流进行了优化
  • 非常适合高开关频率
  • 电容减少高达 44%
  • 与上一代产品相比,Rds(on) 降低 43%

产品优势

  • 最高系统效率
  • 降低开关和传导损耗
  • 减少并联需求
  • 提高功率密度
  • 低电压过冲

文档

设计资源

开发者社区

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