IPT012N08N5
现货，推荐
符合RoHS标准

IPT012N08N5

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 80V 采用 TOLL 封装
数据手册
封装
评估板

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IPT012N08N5
IPT012N08N5
数据手册

商品详情

  • Ciss
    13000 pF
  • Coss
    2000 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    300 A
  • 最高 IDpuls
    1200 A
  • 最高 Ptot
    375 W
  • QG (typ @10V)
    178 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.2 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    0.4 K/W
  • Rth
    0.4 K/W
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    TOLL (HSOF-8)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    2.51
推荐的
OPN
IPT012N08N5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
Infineon 的 OptiMOS™ 功率 MOSFET 采用无引线封装（TOLL），针对高达 300 A 的大电流应用进行了优化，例如叉车、轻型电动汽车 （LEV）、电动工具、负载点 （POL）、电信和电子保险丝。此外，封装尺寸减小了 60%，实现了非常紧凑的设计。与 D2PAK 7-pin 相比，To-Leadless 的占板面积大幅减少了 30%，高度降低了 50%，在机架或刀片服务器等狭窄应用中具有显著的优势。

特性

  • 针对同步整流进行了优化
  • 非常适合高开关频率
  • 电容减少高达 44%
  • 与上一代产品相比，Rds(on) 降低 43%

产品优势

  • 最高系统效率
  • 降低开关和传导损耗
  • 减少并联需求
  • 提高功率密度
  • 低电压过冲
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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