IPT020N13NM6
现货，推荐
符合RoHS标准

IPT020N13NM6

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 135 V TOLL 正常电平
数据手册
封装

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IPT020N13NM6
IPT020N13NM6
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    297 A
  • QG (typ @10V)
    159 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2 mΩ
  • 最高 VDS
    135 V
  • VGS(th) 范围
    2.5 V 至 3.5 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    TOLL (HSOF-8)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    2.17

推荐的
OPN
IPT020N13NM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
DE

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
DE
该产品有效地弥补了120 V和150 V MOSFET之间的差距。在 TOLL 中，与 OptiMOS ™ 5 150 V 相比，OptiMOS ™ 6 135 V 的导通电阻 (RDS(on)) 提高了约 48%，栅极阈值电压扩展降低了约 38%。 这会降低传导损耗并增加输出功率。较低的 vgsth 跨度可改善动态电流共享，从而减少 MOSFET 的数量并降低系统成本。

特性

  • 导通电阻降低高达 48%
  • 栅极阈值电压扩展降低高达 38%
  • 反向恢复电荷 (Qrr) 减少高达 70%

产品优势

  • 降低系统成本
  • 降低传导损耗并提高输出功率
  • 减少并联需求
  • 降低 VDS 过冲和开关损耗
  • 更高功率密度设计

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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