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符合RoHS标准
无铅

IPT60R022S7

英飞凌性价比最高的 600V CoolMOS ™ S7 超结 MOSFET，适用于 TO-Leadless (TOLL) 封装的低频开关应用
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封装
评估板
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IPT60R022S7
IPT60R022S7
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商品详情

  • ID max
    23 A
  • IDpuls max
    375 A
  • Ptot max
    390 W
  • QG
    150 nC
  • QG (typ @10V)
    150 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    22 mΩ
  • RDS (on) max
    22 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    TOLL
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Pin Count
    8 Pins
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    4.66
受到推崇的
OPN
IPT60R022S7XTMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌的 600V CoolMOS ™ S7 超结 MOSFET（IPT60R022S7）采用 TO-Leadless（无铅）封装，具有优化的设计，可降低传导损耗。600V CoolMOS ™ SJ MOSFET 实现了更高的能源效率并降低了物料成本。IPT60R022S7 为低频开关应用（如有源桥式整流、逆变级、浪涌继电器、PLC、高压直流线路、功率固态继电器 (SSR) 和固态断路器 (SSCB)）实现了最佳的 RDS(on)  x 价格。

特性

  • TOLL 中最佳的 R DS(on)
  • 针对传导性能进行了优化
  • 提高了热阻
  • 高脉冲电流能力
  • 提高了开关性能
  • TOLL 封装符合 MSL1 标准

产品优势

  • 最小化传导损耗
  • 提高能源效率
  • 更紧凑、更简单的设计
  • 消除或减少散热器
  • 降低 TCO 或 BOM 成本

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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