不建议用于新设计
符合RoHS标准

IPZ40N04S5-3R9

40 V、N 沟道、3.9 mΩ（最大值）、汽车级 MOSFET、S3O8（3x3）、OptiMOS ™ 5
数据手册
封装

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IPZ40N04S5-3R9
IPZ40N04S5-3R9
数据手册

商品详情

  • ID max
    256 A
  • ID (@25°C) max
    40 A
  • QG (typ @10V)
    19.2 nC
  • QG (typ @10V) max
    25 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    3.9 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    2.2 V to 3.4 V
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    OptiMOS™-5
  • Launch year
    2021
  • Polarity
    N
  • Currently planned availability until at least
    2027
  • Qualification
    Automotive
OPN
IPZ40N04S53R9ATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • OptiMOS ™功率 MOSFET
  • N-ch.-增强模式-逻辑电平
  • 超越 AEC-Q101 的扩展资格
  • 增强电气测试
  • 坚固的设计
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备

文档

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