不建议用于新设计
符合RoHS标准

IPZ40N04S5L-7R4

40 V、N沟道、最大7.4 mΩ、汽车MOSFET、S3O8、OptiMOS ™
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPZ40N04S5L-7R4
IPZ40N04S5L-7R4
每件.
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    40 A
  • IDpuls max
    160 A
  • Ptot max
    34 kW
  • QG (typ @10V) max
    17 nC
  • QG (typ @10V)
    13 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    7.4 mΩ
  • RthJC max
    4.4 K/W
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    1.2 V to 2 V
  • Package
    S3O8 (PG-TSDSON-8-32)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    OptiMOS™-5
  • Topology
    Boost
  • Launch year
    2015
  • Polarity
    N
  • Currently planned availability until at least
    2029
  • Qualification
    Automotive
  • Budgetary Price €/1k
    0.21
OPN
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

特性

  • OptiMOS ™功率 MOSFET
  • N沟道增强模式逻辑电平
  • 符合 AEC Q101 要求
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备

文档

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