IQDH88N06LM5CG
现货，推荐
符合RoHS标准

IQDH88N06LM5CG

OptiMOS ™功率 MOSFET 60 V 采用 PQFN 5x6 mm2 Source-Down 封装，具有行业领先的 RDS(on) 。
数据手册

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IQDH88N06LM5CG
IQDH88N06LM5CG
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    447 A
  • 最高 IDpuls
    1788 A
  • QG (typ @4.5V)
    76 nC
  • QG (typ @10V)
    152 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    1.24 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    0.86 mΩ
  • Special Features
    Logic Level, Center-Gate
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    1.1 V 至 2.3 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • 封装
    PQFN 5x6 Source-Down
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.77

推荐的
OPN
IQDH88N06LM5CGATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 PG-TTFN-9
封装名 PQFN 5x6 Source-Down
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
AT

产品状态
Active
英飞凌封装名称 PG-TTFN-9
封装名 PQFN 5x6 Source-Down
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
AT
功率 MOSFET IQDH88N06LM5CG 60 V 采用 PQFN 5x6 mm2 源极朝下封装。该部件提供业界最低的 RDS(ON) 0.88 mΩ，并结合出色的热性能，可轻松实现功率损耗管理。这使得各种终端应用（如 D 类音频、大功率充电器、SMPS、电信以及高性能计算中的中间总线转换，如超大规模数据中心和 AI 服务器场）具有更高的系统效率和功率密度。

特性

  • OptiMOS ™ 60 V，具有出色的 FOM
  • 具有散热功能的 Source-Down 封装
  • 具有最大化芯片比的 Source-Down 封装
  • 采用中心栅极封装的 Source-Down 封装

产品优势

  • 最小化传导损耗
  • 降低电压过冲
  • 提高最大电流能力
  • 快速开关
  • 减少器件并联
  • 中心栅极实现最佳并联
  • 5x6 mm² PCB 上的低 RDS(on)
  • 增强热管理
  • 最小化寄生效应，实现最佳开关
  • 行业标准封装

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区