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现货，推荐
符合RoHS标准

IQE010N04LM7CGSC

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OptiMOS™ 7 40V 开关优化功率 MOSFET，采用 PQFN 3.3x3.3、源极向下、中心栅极、双面散热（DSC）封装
数据手册
封装

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IQE010N04LM7CGSC
IQE010N04LM7CGSC
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    270 A
  • 最高 IDpuls
    1080 A
  • QG (typ @4.5V)
    18.9 nC
  • QG (typ @10V)
    39 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    1.3 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1 mΩ
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    1.1 V 至 1.7 V
  • VGS(th)
    1.4 V
  • 封装
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Logic Level, Switching optimized, Dual-Side Cooling
推荐的
OPN
IQE010N04LM7CGSCATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WHTFN-9
封装名 N/A
包装尺寸 6000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WHTFN-9
封装名 -
包装尺寸 6000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌最新的 OptiMOS™ 7 40 V 开关优化 MOSFET 提供了前所未有的应用优化水平，可在包括数据中心、人工智能、电信等在内的各种应用中实现高性能。与 OptiMOS™ 6 相比，它的通态损耗降低了 25%，FOM Qg 和 FOM Qoss 降低了 20%，从而在软开关 DC-DC、IBC 和 48 V 转换中实现了更高的效率和功率密度。

特性

  • 针对特定应用的 MOSFET 优化
  • 通态损耗降低高达 25%
  • RDS(on) 与 OptiMOS™ 6 相比，最高可降低 25%
  • 开关特性受控电荷
  • FOM Qg、FOM Qoss 最高可降低 20%
  • 源极向下双面散热（DSC）
  • PQFN 3.3×3.3 封装

产品优势

  • Higher power density
  • Higher efficiency at full load
  • High frequency switching enablement
  • Increased thermal performance
  • Lower switching losses in fast designs
  • Simplified paralleling via Center Gate

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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