现货，推荐
符合RoHS标准

IQE018N06NM6SC

OptiMOS™ 6 60 V - 最新的功率 MOSFET 技术，树立了行业基准性能的新标准。
数据手册
封装

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IQE018N06NM6SC
IQE018N06NM6SC
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    178 A
  • QG (typ @10V)
    43 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.8 mΩ
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2.7 V
  • 封装
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Dual-Side Cooling
推荐的
OPN
IQE018N06NM6SCATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WHSON-8
封装名 N/A
包装尺寸 6000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WHSON-8
封装名 -
包装尺寸 6000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
与前代产品 OptiMOS™ 5 相比，英飞凌最新的晶圆技术实现了显著的性能提升，包括 RDS(on) 降低 37% 以上，FOMQg x RDS(on) 提高约 25%。这些性能提升可提高软开关拓扑和低频应用中的系统效率和功率密度。

特性

  • High performance silicon technology
  • Soft-switching optimized
  • Normal level gate drive
  • 175°C rated
  • Industrial qualification
  • Source-down package variants
  • Standard-gate footprint, DSC

产品优势

  • Lower conduction losses than OptiMOS™ 5
  • Lower switching losses than OptiMOS™ 5
  • Improved performance efficiency
  • Superior power handling capability
  • Robust reliable performance
  • Enhanced thermal capabilities
  • Standard-Gate for easy layout fit-in

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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