现货，推荐
符合RoHS标准

IQE030N06NM5CG

OptiMOS ™低压功率 MOSFET 60 V，PQFN 3.3x3.3源极向下封装具有业界领先的 RDS(on) 和卓越的热性能。
数据手册
封装
每件.
有存货

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IQE030N06NM5CG
IQE030N06NM5CG
每件.
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    137 A
  • QG (typ @10V)
    39 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    3 mΩ
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • Package
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Special Features
    Center-Gate
  • Budgetary Price €/1k
    0.92
受到推崇的
OPN
IQE030N06NM5CGATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TTFN-9
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TTFN-9
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
OptiMOS ™ 5 60V PQFN 3.3x3.3Source-Down 具有 60 V 和 3.0 mOhm 的低 RDS(on) ，提供翻转的硅芯片，该芯片倒置放置在组件内部。这使得源极电位（而不是漏极电位）可以通过导热垫连接到 PCB。因此，它具有多种优势，例如增强的热能力、提高的功率密度或改善的布局可能性。

特性

  • RDS(on)大幅降低 30%
  • RthJC较当前 PQFN 降低
  • 提供标准栅极和中心栅极
  • 新的优化布局可能性

产品优势

  • 实现最高功率密度
  • 卓越的热性能
  • 高效的空间利用布局
  • 简化的 MOSFET 并联
  • 改善 PCB 损耗
  • 减少寄生效应

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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