IQE046N08LM5CG
现货，推荐
符合RoHS标准

IQE046N08LM5CG

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 80 V 逻辑电平 PQFN 3.3x3.3源极向下中心栅极封装
数据手册
封装

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IQE046N08LM5CG
IQE046N08LM5CG
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    99 A
  • 最高 IDpuls
    396 A
  • 最高 Ptot
    100 W
  • QG (typ @4.5V)
    19 nC
  • QG (typ @10V)
    38 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4.6 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    5.9 mΩ
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    1.1 V 至 2.3 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • 封装
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Logic Level, Center-Gate
  • 预算价格€/1k
    0.91
推荐的
OPN
IQE046N08LM5CGATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TTFN-9
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TTFN-9
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IQE046N08LM5CG 是英飞凌最新推出的同类最佳 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平 PQFN 3.3x3.3源极向下中心栅极 (CG) 封装，在 25˚C 时提供业界最低的导通电阻 RDS(on)、卓越的热性能和优化的并行化。OptiMOS ™ Source-Down 是一种革命性的技术，其内部采用倒装硅片，具有多种优势，例如更好的热性能、更高的功率密度和改进的布局可能性。与新的 PQFN 3.3x3.3 相结合中心栅极封装，IQE046N08LM5CG 适用于电信和数据服务器中常见的高功率密度和性能 SMPS 产品。

特性

  • 逻辑层允许更低的 Qrr
  • 将 RDS(on) 降低高达 30%
  • 相比 PQFN，RthJC 有所改进
  • 针对并联进行了中心栅极优化

产品优势

  • 实现最高功率密度
  • 卓越的热性能
  • 高效的空间利用布局
  • 简化的 MOSFET 并联

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区