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符合RoHS标准
无铅

IR2011

200 V 高侧和低侧栅极驱动器 IC
数据手册
封装
每件.
有存货

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IR2011
IR2011
每件.
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (On)
    9 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    9 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • 关断传播延迟
    75 ns
  • 开通传播延迟
    80 ns
  • 电压等级
    200 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc
    10 V to 20 V
  • 输出电流 (Sink)
    1 A
  • 输出电流 (Source)
    1 A
  • 通道数
    2
  • 隔离类型
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
推荐的
OPN
IR2011PBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
PDIP8
封装名 N/A
包装尺寸 3000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PDIP8
封装名 -
包装尺寸 3000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
200 V 高侧和低侧驱动器 IC，具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流，采用 8 引线 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也可提供 8 引脚 SOIC 封装。

特性

  • 用于引导操作的浮动通道。
  • 完全可操作至 200 V
  • 可耐受负电压。瞬态电压。
  • dV/dt 免疫
  • 栅极驱动电源：10 V 至 20 V
  • 独立。低侧通道和高侧通道
  • 输入逻辑 HIN/LIN 高电平有效
  • 欠压。双通道锁定
  • 3.3和 5 V 输入逻辑兼容
  • CMOS 施密特触发输入
  • 匹配属性。两个通道均延迟。

应用

图表

Circuit_Diagramm_IR2011
Circuit_Diagramm_IR2011
Circuit_Diagramm_IR2011 Circuit_Diagramm_IR2011 Circuit_Diagramm_IR2011
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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }