不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IR2111

具有击穿保护功能的 600 V 半桥栅极驱动器 IC
每件.
有存货

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IR2111
IR2111
每件.

商品详情

  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.6 V
  • Turn Off Propagation Delay
    150 ns
  • Turn On Propagation Delay
    750 ns
  • Voltage Class
    600 V
  • Qualification
    Industrial
  • Input Vcc
    10 V to 20 V
  • Output Current (Source)
    0.25 A
  • Output Current (Sink)
    0.5 A
  • Channels
    2
  • Configuration
    Half Bridge
  • Isolation Type
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
OPN
IR2111PBF
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
封装名 N/A
包装尺寸 3000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
封装名 -
包装尺寸 3000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
600 V 半桥驱动器 IC,具有典型的 0.25 A 拉电流和 0.5 A 灌电流,采用 8 引线 PDIP 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。也可提供 8 引脚 SOIC 封装。

特性

  • 用于引导操作的浮动通道。
  • 完全可在 +600 V 下运行
  • 可耐受负电压。瞬态电压。
  • dV/dt 免疫
  • 栅极驱动电源:10 V 至 20 V
  • 欠压。两个通道锁定
  • CMOS 施密特触发
  • 匹配道具。两个通道均延迟。
  • 内部设置死区时间
  • 高端输出。与IN输入同相。

应用

图表

Circuit_Diagramm_IR2111
Circuit_Diagramm_IR2111
Circuit_Diagramm_IR2111 Circuit_Diagramm_IR2111 Circuit_Diagramm_IR2111

文档

设计资源

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }