IR2117
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IR2117

600 V 单高侧栅极驱动器 IC，带单输入
数据手册
封装
多个 OPN 可用

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IR2117
IR2117
数据手册


商品详情

  • VBS UVLO (On)
    8.6 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.6 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • 关断传播延迟
    105 ns
  • 开通传播延迟
    125 ns
  • 拓扑结构
    High-side
  • 电压等级
    600 V
  • 质量等级
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    10 V 至 20 V
  • 输出电流 (Sink)
    0.5 A
  • 输出电流 (Source)
    0.25 A
  • 通道
    1
  • 隔离类型
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)

OPN
IR2117PBF IR2117SPBF
产品状态 not for new design not for new design
英飞凌封装名称
PDIP8
SOIC 8N
封装名 N/A N/A
封装尺寸 3000 3800
封装类型 TUBE TUBE
湿度 NA 2
防潮封装 NON DRY DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PDIP8
封装名 -
封装尺寸 3000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 -
封装尺寸 3800
封装类型 TUBE
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EiceDRIVER ™ 600 V 高压侧栅极驱动器 IC，具有典型的 0.25 A 拉电流和 0.5 A 灌电流，采用 8 引线 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也可提供 8 引脚 SOIC 封装。

特性

  • 用于引导操作的浮动通道。
  • 完全可在 +600 V 下运行
  • 可耐受负电压。瞬态电压。
  • dV/dt 免疫
  • 栅极驱动电源：10 V 至 20 V
  • 欠压锁定
  • CMOS 施密特触发输入
  • 带下拉
  • 输出与输入 IR2117 同相
  • 或与输入 IR2118 异相

图表

Circuit_Diagramm_IR2117
Circuit_Diagramm_IR2117
Circuit_Diagramm_IR2117 Circuit_Diagramm_IR2117 Circuit_Diagramm_IR2117
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