在产
符合RoHS标准
无铅

IR2181S

600 V 高侧和低侧栅极驱动器 IC
数据手册
封装
多个 OPN 可用
每件.

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IR2181S
IR2181S
每件.
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (On)
    8.9 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.9 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • Turn Off Propagation Delay
    220 ns
  • Turn On Propagation Delay
    180 ns
  • Voltage Class
    600 V
  • Qualification
    Industrial
  • Input Vcc
    10 V to 20 V
  • Output Current (Source)
    1.9 A
  • Output Current (Sink)
    2.3 A
  • Channels
    2
  • Configuration
    High-side and low-side
  • Isolation Type
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
受到推崇的
OPN
IR2181STRPBF IR2181SPBF
产品状态 active not for new design
英飞凌封装名称
SOIC 8N
SOIC 8N
封装名 N/A N/A
包装尺寸 2500 3800
包装类型 TAPE & REEL TUBE
湿度 2 2
防潮包装 DRY DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 -
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 -
包装尺寸 3800
包装类型 TUBE
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
EiceDRIVER ™ 600 V 高侧和低侧栅极驱动器 IC，具有典型的 1.9 A 拉电流和 2.3 A 灌电流，采用 8 引线 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。还提供 8 引脚 PDIP、14 引脚 SOIC 和 14 引脚 PDIP 封装。对于采用我们 SOI 技术的新版本，我们推荐使用 2ED2181S06F，它提供集成自举二极管、更好的稳健性和更高的开关频率

特性

  • 用于引导操作的浮动通道。
  • 完全可在 +600 V 下运行
  • 可耐受负电压。瞬态电压。
  • dV/dt 免疫
  • 栅极驱动电源：10 V 至 20 V
  • 双通道欠压锁定
  • 3.3V 和 5 V 输入逻辑兼容
  • 匹配的道具。两个通道均延迟。
  • 逻辑和电源地 +/- 5 V 偏移
  • 较低 di/dt 栅极驱动器
  • 输出源电流能力。1.4 A
  • 输出灌电流能力。1.8 A

图表

Circuit_Diagramm_IR2181
Circuit_Diagramm_IR2181
Circuit_Diagramm_IR2181 Circuit_Diagramm_IR2181 Circuit_Diagramm_IR2181
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