现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IR2213S

具有关断功能的 1200 V 高侧和低侧栅极驱动器 IC
数据手册
封装
多个 OPN 可用
每件.

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IR2213S
IR2213S
每件.
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (On)
    10.2 V
  • VBS UVLO (Off)
    9.3 V
  • VCC UVLO (On)
    10.2 V
  • VCC UVLO (Off)
    9.3 V
  • 关断传播延迟
    225 ns
  • 开通传播延迟
    280 ns
  • 电压等级
    1200 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc
    12 V to 20 V
  • 输出电流 (Source)
    2 A
  • 输出电流 (Sink)
    2.5 A
  • 通道数
    2
  • 配置
    High-side and low-side
  • 隔离类型
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
推荐的
OPN
IR2213STRPBF IR2213SPBF
产品状态 active and preferred active and preferred
英飞凌封装名称
SOIC 16W
SOIC 16W
封装名 N/A N/A
包装尺寸 1000 1980
包装类型 TAPE & REEL TUBE
湿度 3 3
防潮包装 DRY DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 No No
符合RoHS标准 Yes Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SOIC 16W
封装名 -
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SOIC 16W
封装名 -
包装尺寸 1980
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
EiceDRIVER ™ 1200 V 高侧和低侧栅极驱动器 IC，具有典型的 2.0 A 拉电流和 2.5 A 灌电流，采用 DSO-16 引线、宽体封装，适用于 IGBT 分立器件和 IGBT 模块。 IR2213S 采用专有的 1200 V HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术，可实现坚固的单片结构，并具有集成的保护功能，如欠压锁定保护、关断以及独立的逻辑和电源接地。

特性

  • 浮动通道高达 1200 V
  • 可耐受负电压。瞬态电压。
  • dV/dt 免疫
  • 栅极驱动电源：12 至 20 V
  • 双通道欠压锁定
  • 3.3V 逻辑兼容
  • 9 月。逻辑支持从 3.3 V 到 20 V
  • 逻辑和电源地 +/- 5 V 偏移
  • CMOS 施密特触发输入
  • C-by-c 边沿触发。关机逻辑
  • 匹配的道具。两个通道均延迟。
  • 输出与输入同步

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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