IRF100P219
现货，推荐
符合RoHS标准

IRF100P219

TO-247 封装的 100V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF100P219
IRF100P219
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    316 A
  • 最高 Ptot
    341 W
  • Qgd
    40 nC
  • QG (typ @10V)
    168 nC
  • 最高 RDS (on)
    1.7 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.7 mΩ
  • 最高 RthJC
    44 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    100 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-247
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    2.06
推荐的
OPN
IRF100P219AKMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 400
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 400
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品优势

  • 增强了门极、雪崩和动态 dv/dt 的耐用性
  • 全面表征电容和雪崩 SOA
  • 增强型体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力
  • 无铅；符合 RoHS 标准；无卤素
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区