IRF2903ZS

IRF2903ZS

采用 D2-Pak 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRF2903ZS
IRF2903ZS
数据手册

商品详情

  • 最高 ID
    180 A
  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    260 A
  • 最高 ID (@ TC=100°C)
    180 A
  • 最高 Ptot
    290 W
  • Qgd
    58 nC
  • QG
    160 nC
  • 最高 RDS (on)
    2.4 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.4 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    0.51 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    30 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 行业领先的品质
  • 快速切换
  • 工作温度 175°C

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区