IRF3007

采用 TO-220AB 封装的 75V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRF3007
IRF3007

商品详情

  • ID (@25°C) max
    80 A
  • Ptot max
    200 W
  • Qgd
    30 nC
  • QG (typ @10V)
    89 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    12.6 mΩ
  • RthJC max
    0.74 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    75 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

应用

文档

设计资源

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