IRF3007

IRF3007

采用 TO-220AB 封装的 75V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRF3007
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数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    80 A
  • 最高 Ptot
    200 W
  • Qgd
    30 nC
  • QG (typ @10V)
    89 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    12.6 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.74 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    75 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

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