IRF6217

采用 SO-8 封装的 -150V 单 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRF6217
IRF6217

商品详情

  • ID (@25°C) max
    -0.7 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.5 W
  • Qgd
    2.8 nC
  • QG (typ @10V)
    6 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2400 mΩ
  • RthJC max
    20 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    -150 V
  • VGS(th)
    -4 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    SO-8
  • Polarity
    P
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 行业领先的品质
  • 动态 dv/dt
  • 额定值 快速切换
  • 完全符合雪崩等级
  • 工作温度 175°C
  • P沟道MOSFET

应用

文档

设计资源

开发者社区

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