不建议用于新设计
符合RoHS标准

IRF6716M

采用 DirectFET MX 封装的 25V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，额定电流为 39 安培，具有低导通电阻。
数据手册
封装

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IRF6716M
IRF6716M
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    180 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    3.6 W
  • Ptot max
    78 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG (typ @4.5V)
    39 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.6 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    2.6 mΩ
  • RthJC max
    1.6 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.9 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    DirectFET(M)
  • Micro-stencil
    IRF66MX-25
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
IRF6716MTRPBF
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
MG-WDSON-5
封装名 DirectFET MX
包装尺寸 4800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
MG-WDSON-5
封装名 DirectFET MX
包装尺寸 4800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

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