在产
符合RoHS标准
无铅

IRF7380

采用 SO-8 封装的 IR MOSFET 80 V
每件.
有存货

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IRF7380
IRF7380
每件.

商品详情

  • ID (@25°C) max
    3.6 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2 W
  • Qgd (typ)
    4.5 nC
  • QG (typ @10V)
    15 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    73 mΩ
  • RthJA max
    50 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    SO-8
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N+N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Budgetary Price €/1k
    0.31
OPN
IRF7380TRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
封装名 SO-8
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SO-8
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺,为设计人员提供了丰富的器件组合,以支持各种应用,例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。

产品优势

  • 符合 RoHS 标准
  • 全面表征雪崩电压和电流
  • 低栅极-漏极电荷,可降低开关损耗
  • 全面表征电容(包括有效电容),可简化设计
  • 双 N 沟道 MOSFET

文档

设计资源

开发者社区

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